据 Mydrivers 称，特斯拉援引 Not a Tesla App 称，据报道，特斯拉正准备与台积电作为其代工合作伙伴生产其下一代 FSD（全自动驾驶）芯片——内部称为 AI5 或 HW5。正如 Notebookcheck 所说，有传言称特斯拉计划使用台积电的 3nm （N3P） 工艺。正如报告所强调的那样，该芯片预计将提供 2,000 到 2,500 TOPS 的性能，与 HW4 相比，代际飞跃了 4 到 5 倍。据韩国媒体 Ma
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特斯拉 台积电 3nm HW5芯片
虽然三星在 7nm 和 8nm 等成熟节点上获得了牵引力（据报道来自任天堂的订单），但它继续在先进的 3nm 水平上苦苦挣扎。据韩国媒体 Chosun Biz 报道，即使经过三年的量产，其 3nm 良率仍保持在 50%。这使得三星更难赢得大型科技公司的信任，Chosun Biz 报道称，谷歌的 Tensor G5 正在转向台积电的 3nm，远离三星。正如 9to5Google 所强调的那样，据报道，这家搜索引擎巨头已在未来 3 到 5 年内与台积电锁定了 Tenso
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三星 3nm 良率 台积电
5 月 27 日消息，小米创办人、董事长兼 CEO 雷军今日早发文：“玄戒 O1 最高主频 3.9GHz，这足以说明我们芯片团队已经具备相当强的研发设计实力。”官方数据显示，小米玄戒
O1 处理器安兔兔跑分超过了 300 万分，拥有 190 亿个晶体管，采用了全球最先进的 3nm 工艺，芯片面积仅
109mm2。架构方面，小米玄戒 O1 采用了十核四丛集 CPU，拥有双超大核、4 颗性能大核、2 颗能效大核、2 颗超级能效核，超大核最高主频
3.9Hz，单核跑分超 3000 分，多核跑分超 9
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小米 雷军 芯片 玄戒 O1 处理器 ARM 3nm
今天，小米集团董事长雷军微博宣布小米自主研发设计的3nm制程手机处理器芯片玄戒O1已开始大规模量产，搭载小米玄戒O1两款旗舰，小米手机15s pro和小米OLED平板Pad 7 ultra。小米将成为继苹果、高通、联发科后，全球第四家发布自主研发设计3nm制程手机处理器芯片的企业。今年2月，联发科技CEO蔡力行第四季度财报会议上表示，小米自研手机SoC芯片或将外挂联发科基带芯片。根据他的透露，ARM和小米正在促成一项AP芯片的研发项目，联发科也有参与，并提供调制解调器芯片。此前据外媒WCCFtech报道，
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小米 自研 3nm 芯片
小米最近在宣布其自主开发的智能手机 SoC 芯片 XRING 01 后引起了广泛关注。据中国媒体《明报》报道，小米首席执行官雷军 5 月 19 日在微博上透露，该芯片采用 3nm 工艺制造，这标志着中国公司首次成功实现 3nm 芯片设计的突破。这家中国科技巨头正在加大其芯片开发力度。据《华尔街日报》报道，小米计划在至少 10 年内投资近 70 亿美元用于芯片设计。创始人兼首席执行官雷军周一在微博上发文透露了这一投资数字。报告指出，小米发言人补充说，这项 500 亿元人民币（相当于 69.4 亿美元）的投资
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小米 3nm SoC
5月20日消息，雷军之前已经宣布了小米自研芯片玄戒O1，而它可能只是一个代号，最终的成品或许会有多个版本。如果熟悉芯片设计的朋友应该都清楚，厂商在规划一款芯片设计时，必然会有多款相关版本的衍生，所以这更像是一个大类，而非具体到一个型号。有网友发现，Geekbench 6.1.0上出现了小米新机的跑分成绩，而主板信息显示为"O1_asic"，从跑分上看，该机的单核跑分最高 2709、多核跑分8125，比高通骁龙8 Gen 3 的成绩还要高一些，可以说表现亮眼。跑分页面还显示，该处理器的C
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小米 自研芯 10核 3nm 超骁龙8 Gen 3
5月19日，雷军微博宣布小米自主研发设计的3nm制程手机处理器芯片玄戒O1即将亮相。小米将成为继苹果、高通、联发科后，全球第四家发布自主研发设计3nm制程手机处理器芯片的企业。回顾了小米第一代自研手机SoC“澎湃S1”的失败经历，从2014年9月立项，到2017年正式发布，“因为种种原因，遭遇挫折”，暂停了SoC大芯片的研发，转向了“小芯片”路线。包含了快充芯片、电池管理芯片、影像芯片、天线增强芯片等“小芯片”，在不同技术赛道中慢慢积累经验和能力。直到2021年初，小米宣布造车的同时，还在内部重启“大芯片
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小米 玄戒 3nm SoC 芯片
瑞萨电子将设计印度首款3nm 芯片
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3nm 瑞萨
据外媒wccftech报道，高通计划在2025年9月举办的年度骁龙技术论坛上推出新一代旗舰处理器Snapdragon 8 Elite Gen 2。这款处理器预计采用台积电第三代3纳米节点制程N3P打造，相较于前代产品，其性能将有显著提升。Snapdragon 8 Elite Gen 2将配备全新的Adreno 840 GPU和NPU，其中NPU的处理速度预计达到100TOPS，是Snapdragon X Elite NPU性能（45TOPS）的两倍以上。性能提升的部分原因在于暂存内存容量增加至16MB，使
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高通 骁龙 3nm
4月26日消息，在近日举办的北美技术论坛上，台积电首次公开了N2 2nm工艺的缺陷率(D0)情况，比此前的7nm、5nm、3nm等历代工艺都好的多。台积电没有给出具体数据，只是比较了几个工艺缺陷率随时间变化的趋势。台积电N2首次引入了GAAFET全环绕晶体管，目前距离大规模量产还有2个季度，也就是要等到年底。N2试产近2个月来，缺陷率和同期的N5/N4差不多，还稍微低一点，同时显著优于N7/N6、N3/N3P。从试产到量产半年的时间周期内，N7/N6的综合缺陷率是最高的，N3/N3P从量产开始就低得多了，
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台积电 N2 2nm 缺陷率 3nm 5nm 7nm
台积电公布了其 A14（1.4 纳米级）制造技术，它承诺将在其 N2 （2 纳米）工艺中提供显着的性能、功率和晶体管密度优势。在周三举行的 2025 年北美技术研讨会上，该公司透露，新节点将依赖其第二代全环绕栅极 （GAA） 纳米片晶体管，并将通过 NanoFlex Pro 技术提供进一步的灵活性。台积电预计 A14 将于 2028 年进入量产，但没有背面供电。计划于 14 年推出具有背面供电功能的 A2029 版本。“A14 是我们的全节点下一代先进芯片技术，”台积电业务发展和全球销售高级副总
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台积电 1.4nm GAA 晶体管
新兴半导体公司 Rapidus 计划在未来几年大幅扩大其 2nm 研发力度，因为它看到了科技巨头的巨大兴趣。Rapidus 的 2nm 工艺采用 BSPDN 和 GAA 技术，使其成为业内独一无二的实现。半导体供应链长期以来一直被台积电等公司主导，而英特尔和三星代工厂等竞争对手也在努力巩固自己的市场份额，因此还有很长的路要走。不过，据说日本领先的芯片制造公司
Rapidus 已加入尖端节点的竞争，据DigiTimes报道，该公司已经在日本北海道开发了一个专用设施，以尽快进入量产阶段。据称，Rapidu
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日本半导体 Rapidus 2nm工艺 量产 BSPDN GAA
去年末有报道称，小米即将迎来了自己的SoC，已完成了其首款3nm自研芯片的流片工作，剩下唯一的步骤就是与代工合作伙伴确定订单，批量生产自己设计的芯片。小米曾在2017年推出了澎湃S1，搭载于小米5c，对SoC并不陌生。据Wccftech报道，虽然中国大陆的芯片设计公司或许不能采用台积电（TSMC）最新的制造工艺，但最新消息指出，相关的管制措施暂时没有影响到小米，该款SoC有望在今年晚些时候推出。不过与之前的消息有些不同，小米的自研芯片采用的并非3nm工艺，而是4nm工艺，具体来说是N4P。小米的SoC在C
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小米 SoC 3nm 自研芯片 台积电 TSMC
3月31日消息，据媒体报道，位于新竹和高雄的两大台积电工厂将是2nm工艺制程的主要生产基地，预计今年下半年正式进入全面量产阶段。在前期试产中，台积电已经做到了高达60%的良率表现，待两大工厂同步投产之后，月产能将攀升至5万片晶圆，最大设计产能更可达8万片。与此同时，市场对2nm芯片的需求持续高涨，最新报告显示，仅2025年第三、四季度，台积电2纳米工艺即可创造301亿美元的营收，这一数字凸显先进制程在AI、高性能计算等领域的强劲需求。作为台积电的核心客户，苹果将是台积电2nm工艺制程的首批尝鲜者，预计iP
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台积电 2nm 量产 苹果首发 晶圆 GAAFET架构 3nm FinFET
据外媒报道，英特尔确认将于今年晚些时候在其位于爱尔兰莱克斯利普的Fab 34量产3nm芯片。据了解，Intel 3是该公司的第二个EUV光刻节点，每瓦性能比Intel 4工艺提高了18%。Intel公司在年度报告中表示，该工艺于2024年在美国俄勒冈州完成首批量产，2025年产能将全面转至爱尔兰莱克斯利普工厂。据介绍，英特尔同步向代工客户开放Intel 4/3/18A及成熟制程7nm / 16nm工艺。此外，该公司还与联电合作开发12nm代工工艺。英特尔还表示：基于Intel 18A工艺的客户端处理器Pa
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英特尔 3nm Fab 34 14A
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