- 最新报道，三星的3nm GAA生产工艺存在问题，原计划搭载于Galaxy S25/S25+手机的Exynos 2500芯片在生产过程中被发现存在严重缺陷，导致良品率直接跌至0%。报道详细指出，由于Exynos 2500芯片在3nm工艺下的生产质量问题，未能通过三星内部的质量检测。这不仅影响了Galaxy S25系列手机的生产计划，还导致原定于后续推出的Galaxy Watch 7的芯片组也无法如期进入量产阶段。值得关注的是，Exynos 2500原计划沿用上一代的10核CPU架构，升级之处在于将采用全新的
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三星 Exynos 芯片 3nm GAA
- 2 月 2 日消息，根据韩媒 DealSite+ 报道，三星的 3nm GAA 生产工艺存在问题，尝试生产适用于 Galaxy S25 / S25+ 手机的 Exynos 2500 芯片，均存在缺陷，良品率 0%。报道指出由于 3nm 工艺的 Exynos 2500 芯片因缺陷未能通过质量测试，导致后续 Galaxy Watch 7 的芯片组也无法量产。此前报道，Exynos 2500 将沿用上一代的 10 核 CPU 架构，同时引入全新的 Cortex-X5 核心。Exynos 2500 的
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三星 3nm GAA Exynos 2500 芯片
- 台积电在3nm制程工艺于2022年四季度开始量产之后，研发和量产的重点随之转向下一代2nm制程工艺，计划在2025年实现量产。这意味着工厂及相关的设备要做好准备，以确保按计划顺利量产。台积电进入GAA时代的2nm制程进展顺利，最新援引供应链合作伙伴的消息报道称，位于新竹科学园区的宝山2nm首座晶圆厂P1已经完成钢构工程，并正在进行无尘室等内部工程 —— 最快4月启动设备安装工作，相关动线已勘查完成。而P2及高雄两地的工厂则计划在2025年开始制造采用此项技术的2nm芯片，中科二期则视需求状况预定
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- 据外媒，除了传统客户联发科、AMD、英伟达、英特尔、高通外，特斯拉也已确认参与台积电(TSMC)明年的3nm NTO芯片设计定案（New Tape-Outs，NTOs）。报道称，特斯拉成为台积电N3P的客户也表明，其打算利用该尖端技术生产下一代全自动驾驶(FSD)智能驾驶芯片。据了解，台积电N3P工艺计划预计在2024年投产，与N3E工艺相比，N3P的性能提高5%，功耗降低5%到10%，芯片密度提高1.04倍。台积电表示，N3P的性能、功耗和面积(PPA)指标，以及技术成熟度，都超过了英特尔的18A工艺。
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- 11月6日，联发科发布的新一代的旗舰平台天玑9300处理器大胆创新，取消了低功耗核心簇，转而采用“全大核”架构，包含四颗Cortex-X4 超大核（最高频率可达3.25GHz）以及四颗主频为2.0GHz的Cortex-A720大核。虽然此前曾有传言称这款芯片存在过热问题，但联发科予以否认并声称其性能表现出色。近期有爆料称联发科并没有因天玑9300的争议而改变策略，反而将在明年的天玑9400上继续采用“全大核”架构。日前有消息源还透露了明年的旗舰芯片天玑9400将首次用上台积电的N3E制程工艺 ——&nbs
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- 台积电为全球晶圆代工龙头，后头追兵三星与英特尔来势汹汹，但台积电在技术与订单仍保持一定优势，尤其三星至今在3纳米方面，依然无法取得顶尖客户的信任，三星高层也坦言，一旦台积电在2纳米转进GAA技术，三星还是得向台积电看齐学习。即使如此，三星也打算透过低价策略抢市，与台积电做出差别。综合外媒报导，三星虽在3纳米就开始使用GAA技术，量产时间也比台积电早数个月，但在良率与技术上无法获得客户青睐，苹果、辉达等科技巨头的大单仍在台积电手上，台积电3纳米沿用较旧的FinFET技术。三星不甘示弱，希望能在2纳米领域上扭
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- 日立高新技术公司宣布推出其GT2000高精度电子束测量系统。GT2000利用日立高新技术在CD-SEM*1方面的技术和专业知识，在那里占有最大的市场份额。GT2000配备了用于尖端3D半导体器件的新型检测系统。它还利用低损伤高速多点测量功能用于high-NA EUV*2抗蚀剂晶片成像，以最小化抗蚀剂损伤并提高批量生产的产率。日立高新技术（Hitachi High-Tech）GT2000 CD-SEM将能够实现高级半导体器件制造过程中的高精度、高速测量和检测，这些半导体器件正变得越来越小型化和复杂化，并有助
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日立高新 测试测量 GAA CFET
- IT之家 11 月 22 日消息，台积电初代 3nm 工艺 N3B 目前仅有一个客户在用，那就是苹果。根据中国台湾《工商时报》的消息，目前 3nm 晶圆每片接近 2 万美元（IT之家备注：当前约 14.3 万元人民币） ，而良率为 55%，所以目前只有苹果一家愿意且有能力支付，而且苹果目前也预订了台积电今年大部分 3nm 产能。随着 3nm 代工产能拉升，台积电 3nm 产能今年底有望达到 6～7 万片，全年营收占比有望突破 5％，明年更有机会达到 1 成。据称，在英伟达、高通、联发科
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- 10月31日消息，苹果举行新品发布会，线上发布M3系列芯片（M3、M3 Pro以及M3 Max），除了芯片更新苹果还带来了搭载M3系列芯片的MacBook Pro以及24英寸版iMac。这是苹果首次将Pro与Max首次与基础款同时公布，苹果官方在发布会中也表示：这一系列的芯片采用了最新的3nm工艺制程，意味着比当前的M2系列将要「快得吓人」。M3系列芯片信息：M3配备8核CPU，10核GPU，24GB统一内存，速度最高比M2提升20%M3 Pro配备12核CPU，18核GPU，36GB统一内存，速度最高比
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- 作为当前全球最先进的制程工艺，台积电和三星的3nm制程工艺均已在去年量产，其中三星电子是在6月30日开始量产，台积电则是在12月29日开始商业化生产。从外媒最新的报道来看，这两大厂商3nm制程工艺的良品率，目前均还在60%以下，在将良品率提升到60%以上都遇到了挑战。此前预计三星的良品率在今年将超过60%，台积电的良品率在8月份时就已在70%-80%，高于三星电子。虽然三星电子3nm制程工艺为一家客户代工的芯片，良品率达到了60%，但由于并不包括逻辑芯片的SRAM，不被认为是完整的3nm制程工艺产品。3n
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- 外媒eNewsEurope报道，英特尔和台积电将在国际电子元件会议（IEDM）公布垂直堆叠式（CFET）场效晶体管进展，这有望使CFET成为十年内最可能接替全环绕栅极晶体管（GAA）的下一代先进制程。CFET场效晶体管将n和p两种MOS元件堆叠在一起，以实现更高的密度。该项技术最初由比利时微电子研究中心（IMEC）于2018年所提出的。虽然，大多数早期研究以学术界为主，但英特尔和台积电等半导体企业现在已经开始这一领域的研发，借此积极探索这种下一代先进晶体管技术。英特尔表示，研究员建构一个单片3DCFET，
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- 目前三星和台积电（TSMC）都已在3nm制程节点上实现了量产，前者于2022年6月宣布量产全球首个3nm工艺，后者则在同年12月宣布启动3nm工艺的大规模生产，苹果最新发布的iPhone 15 Pro系列机型上搭载的A17 Pro应用了该工艺。据ChosunBiz报道，虽然三星和台积电都已量产了3nm工艺，不过两者都遇到了良品率方面的问题，都正在努力提高良品率及产量。三星在3nm工艺上采用下一代GAA（Gate-All-Around）晶体管技术，而台积电沿用了原有的FinFET晶体管技术，无论如何取舍和选
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- 今日，苹果举办发布会，正式推出了包括iPhone 15系列和Apple Watch Series 9 / Ultra 2在内的多款产品，其售价从1999元到13999元不等。其中iPhone 15 Pro/15 Pro Max的最大亮点也是芯片，其搭载的A17 Pro 芯片，也是业界首款 3 nm芯片。集成了 190 亿颗晶体管，晶体管间仅有 12 个硅原子宽度的缝隙，内置六核 CPU的性能是 A16 Bionic 的两倍，而效率则高达四倍。作为对比，A15 有 150 亿个晶体管，A14有118 亿个晶
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- 千呼万唤始出来，北京时间 9 月 13 日凌晨 1 点，苹果秋季新品发布会准时拉开帷幕，主题为「好奇心上头」。在今年的苹果「春晚」的短短一个小多小时中，苹果总共发布了 7 款新品，包括：4 款全新 iPhone 15 系列、3 款新 Apple Watch。本场发布会最大亮点：iPhone 15 Pro 系列搭载全球业界首款 3nm 手机芯片，包含 2 颗高性能核心和 4 颗高能效核心，集成了 190 亿颗晶体管。此前爆料曾多次提到，苹果将为 iPhone 15 Pro 系列会取消掉祖传的「静音按钮」，在
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